[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010946678.4 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112736054A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 施江林;吴珮甄;张庆弘;丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体部件、一重布线层、一接合介电质以及一隔离层。该重布线层设置在该半导体部件上，并电性耦接到该半导体部件。该接合介电质设置在该半导体部件上，以围绕该重布线层的一顶部。该隔离层设置在该半导体部件与该接合介电质之间，以围绕该重布线层的一底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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