[发明专利]一种高堆叠封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010948308.4 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112053960B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 孙德瑞;侯新祥 | 申请（专利权）人： | 深圳市深濠精密科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16;H01L25/18 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 尹益群 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高堆叠封装结构及其形成方法，该方法包括以下步骤：形成第一封装组件，形成第二封装组件，形成第三封装组件，在柔性基板的中间区域设置所述第一封装组件在所述柔性基板的相对的两个侧边区域设置所述第二封装组件，接着分别形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积金属材料以分别形成第一金属柱和第二金属柱，接着在所述第一封装组件上设置所述第三封装组件，接着将所述柔性基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装组件均贴装至所述第一封装组件的侧壁和所述第三封装组件的侧壁，接着提供一线路基板，将所述第三封装组件电连接至所述线路基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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