[发明专利]一种半导体封装及其形成方法有效
| 申请号： | 202010949498.1 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112053961B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 孙德瑞;侯新祥 | 申请（专利权）人： | 深圳伊帕思新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16;H01L25/18 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 尹益群 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一封装件，形成第二封装件，形成第三封装件，接着将所述第一封装件贴装在柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，接着在所述第一封装件上设置第三封装件，接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
