[发明专利]一种倒装红光LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202010950781.6 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112038457B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 金钊;徐洲;马英杰;蔡和勋;吴奇隆 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/30;H01L33/00 |
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| 地址： | 225002*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倒装红光LED芯片及其制作方法，通过在所述p‑GaP窗口层表面沉积第一ITO层，使所述第一ITO层搭配所述p‑GaP窗口层，可减薄所述p‑GaP窗口层的厚度，从而在解决因p‑GaP窗口层太厚导致的吸光问题的同时，还保证了其电流在LED芯片的P面扩展的均匀性；同时，通过所述发光台面的水平裸露面沉积形成第二ITO层，可减薄所述n‑AlGaInP扩展层的厚度，从而在解决因n‑AlGaInP扩展层太厚导致的吸光问题的同时，还保证了其电流在LED芯片的N面扩展的均匀性，进而提高LED芯片的出光率。其次，本发明采用蒸镀与沉积相结合的方法制作复合键合层，既能获得高的制作效率又具有良好的键合率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 红光 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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