[发明专利]一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010951310.7 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112144029A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张悦;庞先标;刘曙光;杨荣 | 申请（专利权）人： | 中兴能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吕玲 |
| 地址： | 643000 四川省自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长In |
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| 搜索关键词： | 一种 高透高 迁移率 ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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