[发明专利]具有字线分隔层的半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010951488.1 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN113097213A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 鲁知艺;林珍洙;张大铉;千志成;洪祥准 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11563 分类号: H01L27/11563;H01L27/11573
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 陈晓博;刘林果
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:外围电路结构,设置在基底上;下堆叠件和上堆叠件,下堆叠件设置在外围电路结构上,上堆叠件设置在下堆叠件上,下堆叠件包括多个下绝缘层和与所述多个下绝缘层交替地堆叠的多条下字线;多个沟道结构,在单元阵列区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件;一对分隔绝缘层,竖直地延伸穿过下堆叠件和上堆叠件并且在水平方向上延伸,所述一对分隔绝缘层在竖直方向上彼此间隔开;以及字线分隔层,设置在下堆叠件的上部处并且当在平面图中观看时与所述一对分隔绝缘层交叉,字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线中的至少一条下字线。
搜索关键词: 具有 字线分 隔层 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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