[发明专利]掺杂碳源以及垂直舟装置在审
| 申请号： | 202010953038.6 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112002633A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 吕新杨;易明辉;周铁军 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/02;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种掺杂碳源和垂直舟装置。掺杂碳源为内外径均沿轴向上大下小的母空心锥台；母空心锥台包括沿轴向能够堆叠的多个子空心锥台，各子空心锥台的内外径均形成为沿轴向上大下小，母空心锥台配置成：在首次使用时，多个子空心锥台沿轴向堆叠在一起使用，在重复使用时可选地去掉沿轴向位于最外端的一个子空心锥台。垂直舟装置包括石英管、石英中圈、前段PBN坩埚、后段PBN坩埚以及掺杂碳源；石英管包括第一空心锥台段；石英中圈包括第二空心锥台段；前段PBN坩埚包括第三空心锥台段；后段PBN坩埚包括第四空心锥台段；掺杂碳源用于沿径向夹在第三空心锥台段与第一空心锥台段之间和/或掺杂碳源用于沿径向夹在第四空心锥台段与第二空心锥台段之间。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 碳源 以及 垂直 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
