[发明专利]一种砷掺杂三氧化二锰靶材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010953109.2 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN112195446B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 文崇斌;朱刘;童培云;吴彩红;曾成亮;余芳 申请(专利权)人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C22C29/12;C22C1/05
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种砷掺杂三氧化二锰靶材的制备方法,包括以下步骤:(1)将AsMn粉末和Mn2O3粉末混合均匀,得到混合料;(2)将步骤(1)得到的混合料装入一包套中,将其放入热等静压炉进行烧结,随后降温出炉,即得到砷掺杂三氧化二锰靶材。本发明同时提出采用该制备方法所制备得到的砷掺杂三氧化二锰靶材。本发明提供的制备方法成本低廉、操作简单,并且得到的靶材的相对密度大于95%,电阻率小于2000Ω•cm。
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化 二锰靶材 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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