[发明专利]基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器有效
| 申请号： | 202010957666.1 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112133347B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨建国;刘超;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/411 | 分类号： | G11C11/411;G11C11/416;G11C11/22;G06F11/07 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器。其中，该存储单元包括：6T结构和1T1C结构，6T结构用于数据1或0的输入和存储；1T1C结构与6T结构的第一存储节点连接，用于在6T结构断电时，存储数据1或0，并在6T结构通电时将数据1或0恢复至6T结构。通过本发明的1T1C结构，在不改变现有技术中的SRAM的读写电路的情况下，以简单的电路设计，保持了良好的结构兼容性，防止了漏电流的出现，同时避免了存储单元面积尺寸的增加，操作速度更快，静态功耗更低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 t1c 结构 存储 单元 及其 操作方法 存储器 | ||
【主权项】：
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