[发明专利]半导体硅片保护层制作方法有效
| 申请号： | 202010958525.1 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112185825B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘希仕;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合;刘冲;韩建伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体硅片保护层制作方法。半导体硅片保护层制作方法包括：使得半导体硅片在低转速状态下匀速旋转；将黏度范围为5cp～80cp的光刻胶，滴涂1.5cc～3cc的量于半导体硅片表面的中心；使得半导体硅片在低转速状态下保持5s～15s时间，扩大光刻胶的覆盖面积；在2s～5s时间段内，使得半导体硅片由低速旋转状态提升至高速旋转状态，甩出多余光刻胶；在高速旋转状态，半导体硅片保持25s～45s时间，使得光刻胶的厚度达到8000A～50000A；通过边缘胶去除工艺，根据预定去边宽度，去除半导体硅片边缘位置处的光刻胶。本申请提供的方案可以解决相关技术中无法检测去边宽度，影响边缘胶去除工艺的准确性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 保护层 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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