[发明专利]一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202010959080.9 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112126902A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申请（专利权）人： | 浙江最成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;B22F1/00;B22F3/14;B22F3/24 |
| 代理公司： | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法，特点是该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下，其制备方法包括将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2‑4.2μm的钨粉进行均匀混合后，置于真空热处理炉中进行预脱气，然后导入氢气，继续加热进行脱气的步骤；将脱气后的钨粉通过真空热压完成一次烧结的步骤；将一次烧结后的钨板通过热等静压机完成二次烧结的步骤；将二次烧结后的钨板通过机械加工将整个表面进行磨削处理，得到纯度为99.999％及以上且密度为99％及以上的半导体用高纯钨靶材，优点是高纯度、高密度且低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 高纯 钨靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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