[发明专利]晶片的处理方法和芯片测量装置在审
| 申请号： | 202010959310.1 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112530866A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 森俊;小林真;梅原冲人;田村一成 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供晶片的处理方法和芯片测量装置。该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件，该晶片的处理方法包含如下的步骤：晶片单元形成步骤，将带粘贴在晶片的背面上并将带的外周安装于环状框架，形成具有晶片、带和环状框架的晶片单元；分割步骤，将晶片沿着分割预定线分割而形成多个芯片(器件芯片)；拾取步骤，从晶片单元拾取芯片；和测量步骤，对通过拾取步骤而拾取的芯片进行测量。在实施拾取步骤之前，实施如下的判别步骤：分别对器件的特性进行检查而判别出良好器件和不良器件并存储判别结果。在测量步骤中，根据判别结果，在通过拾取步骤而拾取的器件芯片包含不良器件的情况下，将芯片破坏而测量抗弯强度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 方法 芯片 测量 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
