[发明专利]一种薄膜沉积系统及镀膜方法在审

专利信息
申请号: 202010962979.6 申请日: 2020-09-14
公开(公告)号: CN112195443A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 常进 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/56
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王军红;张颖玲
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请实施例公开了一种薄膜沉积系统及镀膜方法,包括:具有真空腔的真空室;设置在真空腔内的溅射源,溅射源包括溅射口;设置在真空腔内的电子束蒸发源,电子束蒸发源包括喷射口;固定架,固定架活动设置在真空腔上,固定架上设置有用于固定芯片的安装区;溅射源与电子束蒸发源错开设置;以及动作机构,动作机构用于驱动固定架在第一位置和第二位置之间切换;当固定架处于第一位置,溅射源的溅射口对准固定架上的芯片;当固定架处于第二位置,电子束蒸发源的喷射口对准固定架上的芯片。本申请实施例的一种薄膜沉积系统及镀膜方法,具有成本低且效率高的优点。
搜索关键词: 一种 薄膜 沉积 系统 镀膜 方法
【主权项】:
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