[发明专利]磁随机存取存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202010963307.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188474A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王能语 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁随机存取存储器及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层，第一介质层内具有第一开口；在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构；在第一介质层和第二导电结构上形成磁性隧道结。通过在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构，第二导电结构的材料与第一导电结构的材料不同。由于所述第一导电结构能够形成较高的高度，对应形成的第一介质层的高度也较高，避免了在形成磁性隧道结的过程中刻蚀会穿透第一介质层；而第二导电结构的材料硬度较大，在进行平坦化处理之后，第二导电结构的顶部表面较为平整，保证形成在第二导电结构上的磁性隧道结不会发生形变，以此提升最终形成的磁随机存取存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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