[发明专利]钴配位化合物分子插层多层石墨烯纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010963946.3 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112010294B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李卫;杨喜昆 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/192 | 分类号： | C01B32/192;C01B32/194 |
| 代理公司： | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人： | 苏芸芸 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开一种钴配位化合物分子插层多层石墨烯的制备方法，本方法是将氧化石墨置于去离子水中，超声剥离后获得氧化石墨烯悬浮液，将悬浮液在室温、避光条件下静置后使用；将钴的配位化合物和氧化石墨烯悬浮液混合在烧杯中恒温搅拌获得絮状沉淀混合物；然后将絮状复合物溶液转移到高压釜中；经过水热处理后获得钴配位化合物分子插层多层石墨烯；本发明方法工艺简单、对设备要求低、成本低、具有很好的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 钴配位 化合物 分子 多层 石墨 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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