[发明专利]气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质在审
| 申请号： | 202010964913.0 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112530836A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎裕久;中川隆一;寿崎健一;江尻靖则 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质。气化装置具有：原料容器，其贮存液体原料；第1加热部，其浸渍于所述液体原料中、对液体原料进行加热；第2加热部，其对原料容器进行加热；第1温度传感器，其浸渍于所述液体原料中、对液体原料的温度进行测定；第2温度传感器，其浸渍于液体原料中、对液体原料的温度进行测定；和控制部，其构成为基于由第1温度传感器测定的温度对第1加热部进行控制，并且基于由第2温度传感器测定的温度对第2加热部进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 气化 装置 衬底 处理 清洁 方法 半导体器件 制造 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
