[发明专利]一种基于光学微带天线非对称集成的二维材料探测器在审
申请号: | 202010965512.7 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112242456A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 周靖;郭尚坤;余宇;嵇兆煜;代旭;邓杰;陈效双;蔡清元;储泽世;李方哲;兰梦珂 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0232;H01Q1/22 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于光学微带天线非对称集成的二维材料探测器,其结构包括金属反射面、介质间隔层、二维活性材料层,以及顶层源电极和金属栅条集成的漏电极。金属‑二维活性光敏材料‑金属光探测结构的自驱动响应来自二维材料与金属接触之间的肖特基结,光学微带天线的非对称集成打破对称性,通过光学微带天线的高效耦合与光场局域实现二维材料接触结区光吸收大幅增强,同时延长接触结的边界,而在另一电极处的二维材料的光吸收受到距离很近的金属底面的抑制,两个电极附近的光响应对比度高达一百多倍。在泛光照射下,光学微带天线集成二维材料的响应率比传统金属光栅集成二维材料的响应率高出一个数量级以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 光学 微带 天线 对称 集成 二维 材料 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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