[发明专利]大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法在审
| 申请号： | 202010965699.0 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112210825A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 于凯;陈建丽;洪颖;窦英;张皓;高飞;郭森;李晖;王利杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法，针对于动态气氛的大流量特性，采用了电控碟阀，实现压力控制的快速性。此外，针对传统的PID控制模式，在上位机控制系统中，将模糊控制算法应用到控压仪表的PID参数调节中，根据压力的测量值和目标值自动修正控压仪表的PID三个控制参数，不仅可省去依赖于工艺人员的常规PID调节过程，而且还能保证生长过程中全程压力范围内任意数值的压力控制的精准性，本发明特别适用于大腔室大气流环境下的晶体生长过程中快速精准的压力控制。 | ||
| 搜索关键词： | 流量 气相法 晶体生长 压力 自适应 模糊 控制 方法 | ||
【主权项】：
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