[发明专利]基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片在审

专利信息
申请号: 202010966434.2 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN111897146A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 李贝;刘国栋;曹军;宋杰;杨峰峰 申请(专利权)人: 上海航天科工电器研究院有限公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200331 上海市普陀*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片,包括芯片基底、芯片下包层、波导芯层及芯片上包层;本发明采用在波导芯层集成了输入光波导、光子晶体微环调制结构及输出光波导,其中光子晶体微环调制结构由单个直通波导及一个闭合环形波导组成,直通波导为二维线缺陷光子晶体波导结构,环形波导为二维圆形晶格环形谐振腔型光子晶体波导结构,调制电极设置在环形波导上,波导芯层采用铌酸锂薄膜材质制备,具有高电光系数的同时能极大减小器件尺寸提高集成度,结合光子晶体波导慢光效应增强电光效应,使调制器工作在低驱动电压,进一步减小结构尺寸。该调制器芯片制作工艺简单,易于集成和扩展,具有良好的可靠性和性能稳定性。
搜索关键词: 基于 铌酸锂 薄膜 光子 晶体 调制器 芯片
【主权项】:
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