[发明专利]一种存储器件

摘要

本发明提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极。底电极与源极连接，顶电极与漏极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。