[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储装置

摘要

本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件及其制备方法、存储装置。该半导体器件包括半导体衬底，在半导体衬底之上设有多个条状的层叠结构及覆盖于层叠结构外围的侧墙结构，在层叠结构的远离半导体衬底的一侧设有导电结构；层叠结构包括导线层、隔绝层、隔离层及介质层；导线层设于半导体衬底之上，导线层用于传输数据信号；隔绝层设于导线层的远离半导体衬底的一侧；隔离层设于隔绝层的远离半导体衬底的一侧，隔离层是低介电常数材料；介质层设于隔离层的远离半导体衬底的一侧，介质层用于隔离隔离层与导电结构。通过隔离层可以有效降低导线层与导电结构产生的寄生电容，从而有效降低寄生电容对半导体器件使用的质量和寿命的影响。