[发明专利]一种硅基底制备方法及太阳能电池在审
申请号: | 202010969860.1 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN114188436A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 潘强强;刘勇;朴松源;王洪喆;王路;李家栋 | 申请(专利权)人: | 一道新能源科技(衢州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 324022 浙江省衢州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅基底制备方法及太阳能电池,属于光伏技术领域。本发明提供的硅基底制备方法,通过在硅片中两次不同深度的磷扩散,从而灵活调整磷在硅片中的浓度分布,此时,硅基底的表面浓度较高,且表面浓度下降趋势较为平缓,优化了硅片与金属电极的欧姆接触,降低了接触电阻,提高了基于该硅片的太阳能电池的填充因子;体内浓度较低,降低了硅片的体内复合,提高了基于该硅片的太阳能电池的开路电压与短路电流;最后,上述改进没有增加磷扩散过程所需的时间,也没有引入其他制备工艺,便于在现有的规模化生产中应用,改进成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 基底 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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