[发明专利]一种硅基底制备方法及太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202010969860.1 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN114188436A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 潘强强;刘勇;朴松源;王洪喆;王路;李家栋 申请(专利权)人: 一道新能源科技(衢州)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 324022 浙江省衢州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种硅基底制备方法及太阳能电池,属于光伏技术领域。本发明提供的硅基底制备方法,通过在硅片中两次不同深度的磷扩散,从而灵活调整磷在硅片中的浓度分布,此时,硅基底的表面浓度较高,且表面浓度下降趋势较为平缓,优化了硅片与金属电极的欧姆接触,降低了接触电阻,提高了基于该硅片的太阳能电池的填充因子;体内浓度较低,降低了硅片的体内复合,提高了基于该硅片的太阳能电池的开路电压与短路电流;最后,上述改进没有增加磷扩散过程所需的时间,也没有引入其他制备工艺,便于在现有的规模化生产中应用,改进成本低。
搜索关键词: 一种 基底 制备 方法 太阳能电池
【主权项】:
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