[发明专利]基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列有效
| 申请号： | 202010972106.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112131819B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈玉蓉;沈婧;黄韵荃;张猛华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。所述方法包括：在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NMOS隔离管的栅极接GND。解决了现有版图技术中，相邻NMOS管之间，在总剂量辐射下会产生漏电流的问题。对电路设计中敏感MOS管在版图方面进行交叉布局，拉大敏感节点的距离，从而大大降低单粒子辐射时电路翻转的概率。达到了在没有影响功能的前提下使得SRAM存储单元及阵列具有抗辐射能力的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 dice 结构 sram 存储 单元 加固 方法 阵列 | ||
【主权项】：
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