[发明专利]顶针升降装置和半导体工艺腔室在审
| 申请号： | 202010972871.5 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112071801A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 魏景峰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种顶针升降装置和半导体工艺腔室，用于驱动工艺腔室中的多个顶针同步升降，以使顶针的顶端高于或低于基座的承载面，该顶针升降装置包括升降本体、升降连接件和气压控制结构，其中，升降本体设置在顶针的下方，且在升降本体中设置有空腔；升降连接件可升降的设置在空腔中，用于与各个顶针连接，并且升降连接件将空腔分隔成上部空间和下部空间；气压控制结构用于通过控制上部空间与下部空间的气体压力差，来驱动升降连接件升降，以带动多个顶针同步升降。本发明实施例提供的顶针升降装置和半导体工艺腔室，可以减小工艺腔室的内部空间，减少填充腔室的气体消耗量，进而可以降低使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 顶针 升降 装置 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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