[发明专利]一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置及方法有效

专利信息
申请号: 202010974153.1 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112275696B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 许剑锋;张吉韬;贾凯 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B13/00;H01L21/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于半导体表面清洁相关技术领域,其公开了一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置及方法,装置包括真空组件及连接于真空组件的液滴发射及加速组件;液滴发射与加速组件包括液体存储器、石墨电极、PEEK毛细管、熔融石英毛细管及接地的萃取电极;液体存储器设置在真空组件上方,其用于收容导电溶液;石墨电极设置在液体存储器上,其两端分别用于与直流电源相连接及与导电液体相接触;PEEK毛细管的一端与液体存储器相连接,另一端与熔融石英毛细管相连接,熔融石英毛细管的一端伸入真空组件内;萃取电极设置在真空组件内,且其与熔融石英毛细管所形成的发射尖端相对设置。本发明提高了清洁效率,降低了成本,实现移除后无液体残留。
搜索关键词: 一种 去除 硅片 表面 吸附 纳米 颗粒 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010974153.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top