[发明专利]一种钕铁硼磁体及其制备方法有效
申请号: | 202010974691.0 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN113270241B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 周头军;刘仁辉;潘为茂;钟震晨;黎绵付 | 申请(专利权)人: | 江西理工大学;虔东稀土集团股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 341000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种钕铁硼磁体及其制备方法,所述钕铁硼磁体表层的钕铁硼晶粒具有Dy‑Tb双层核壳结构钕铁硼。采用将含有Dy核壳结构的基体置于含Tb物质内加热扩散使Tb扩散进入磁体表面的方法得到表层的钕铁硼晶粒具有Dy‑Tb双层核壳结构的烧结钕铁硼磁体。本发明制备的钕铁硼磁体添加的中重稀土Dy、Tb数量少,具有矫顽力和最大磁能积高、热稳定性好等优良磁性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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