[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010974947.8 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112530899A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张丰愿;诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔;黄博祥;詹森博;陈明发;刘钦洲;郑仪侃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件以及制造方法，其中，金属化层位于衬底上方，电源网格线位于金属化层内。信号焊盘位于金属化层内，并且信号焊盘由电源网格线围绕。信号外部连接件电连接至信号焊盘。本发明的实施例另一方面提供一种制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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