[发明专利]一种存储器以及一种存储器的制作方法在审
申请号: | 202010974994.2 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN112054009A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 左正笏;王曙光;李辉辉;申力杰 | 申请(专利权)人: | 浙江驰拓科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/11585;H01L27/22;H01L27/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
地址: | 311300 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种存储器以及一种存储器的制作方法,该存储器包括:衬底、电路走线层、第一绝缘层、连接元件、导电支柱、第二绝缘层和存储元件,其中,所述第一绝缘层具有第一通孔,所述连接元件位于所述第一通孔内,所述导电支柱电连接所述连接元件和所述存储元件,所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面尺寸不小于所述第一通孔朝向所述导电支柱一侧端面尺寸与第一迭对冗余量之和,使得所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面完全覆盖所述连接元件,能够阻挡位于所述第一通孔中的所述连接元件的材料从所述第一通孔中扩散出来,降低所述存储器发生短路的概率,提高所述存储器的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储器 以及 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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