[发明专利]一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺在审
| 申请号： | 202010975030.X | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112259377A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘云志;杨国兴;吴继伟 | 申请（专利权）人： | 大连达利凯普科技股份公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 毕进 |
| 地址： | 116630 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。方案如下：采用磁控溅射加工工艺，在瓷片表面形成一组导电且具有结合力的多层金属层；在产品表面均匀涂一层胶层做保护；使用掩膜板进行图形曝光，使切割道区域受光，发生化学反应；受光位置在显影液里发生化学反应，使其脱落，形成图形；在没有受光位置的基片表面进行电镀金，使其厚度达到2.5um以上；去掉切割道表层的保护胶；用刀片进行切割加工，整个切割道是在刀片路径内。有益效果：本发明通过更改工艺路线，增加光刻工艺，产生的毛刺极小，完全可以被接受，不影响产品性能，满足行业里对毛刺得控制标准，不影响产品电性能，极大地提升了SG产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 单层 陶瓷 电容器 划片 毛刺 问题 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连达利凯普科技股份公司，未经大连达利凯普科技股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010975030.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
