[发明专利]基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202010975435.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111965572A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 韦一;柏沁园;唐莹;王玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层作为声波反射层；当磁场发生变化，上电极发生磁致伸缩效应，引起电极发生形变，从而改变谐振频率，以此来测量磁场强度；本发明中磁场传感器的尺寸小，制造成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜 声波 谐振器 磁场 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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