[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202010977265.2 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN112530884A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 胁坂伸治 | 申请(专利权)人: | 青井电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/538;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;王莉莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明实现安装有在背面侧具有电极的半导体元件的半导体装置的小型化、薄型化。半导体装置具备:第一半导体元件,其在主面侧具有第一电极,并在背面侧具有第二电极;基材,其设有与第一电极连接的连接导体;密封树脂,其设置在基材上,将第一半导体元件进行密封;以及第一过孔,其设于密封树脂,并与第一半导体元件的第二电极电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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