[发明专利]DDR控制系统及DDR存储系统有效
| 申请号： | 202010980629.2 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112100098B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘锴;宋宁;崔明章;杜金凤 | 申请（专利权）人： | 广东高云半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/18 | 分类号： | G06F13/18;G06F13/16 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DDR控制系统及DDR存储系统，以集成在同一片上系统中的MCU内核和FPGA内核组成的SoC架构为基础，基于FPGA内核中的逻辑资源来实现MCU和片外DDR存储器之间的DDR控制系统，该DDR控制系统为片内DDR控制系统，包括MCU总线映射模块、DDR数据缓存模块以及DDR控制器模块，且基于FPGA可编程的特点，实现DDR控制器模块的数量以及MCU总线映射模块映射出的子系统总线的数量可以动态调整，用户可以动态配置MCU外部的DDR控制器模块的数量，并进一步通过DDR控制器模块动态配置所接入的片外DDR存储器，以达到片外DDR存储器的功能和数据动态可配的目的，提高了MCU的扩展性和易用性，有助于用户快速应用DDR存储器。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 控制系统 存储系统 | ||
【主权项】：
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