[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010981181.6 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112530870A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 游国丰;蔡俊雄;陈建豪;王宏杏;许智育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括：分别在第一半导体区和第二半导体区上方形成第一栅极电介质和第二栅极电介质；沉积含镧层，该含镧层包括分别与第一栅极电介质和第二栅极电介质重叠的第一部分和第二部分；以及沉积硬掩模，硬掩模包括分别与含镧层的第一部分和第二部分重叠的第一部分和第二部分。该硬掩模不含钛和钽。该方法还包括形成图案化的蚀刻掩模以覆盖硬掩模的第一部分，其中硬掩模的第二部分暴露；去除硬掩模的第二部分和含镧层的第二部分；以及执行退火以将含镧层的第一部分中的镧驱入第一栅极电介质中。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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