[发明专利]一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010981817.7 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN112071640A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 彭彪林;陆秋萍 申请(专利权)人: 广西大学
主分类号: H01G4/08 分类号: H01G4/08;C23C26/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 卢波
地址: 530004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明涉及一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法,属于化学工程技术领域。一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:1)将LaNiO3前驱体溶液旋涂于基片上制得第一湿膜;2)将步骤1)所得的第一湿膜干燥、热解,晶化制得单层LaNiO3薄膜;3)重复步骤1)和步骤2),制得复合基底;4)将BCZT前驱体溶液旋涂于步骤3)制得复合基底上,制得第二湿膜;5)将步骤4)所得的第二湿膜干燥、热解,晶化制得单层BCZT薄膜;6)重复步骤4)和步骤5)制得多层BCZT薄膜。本发明可获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、储能密度值大、储能效率高和热稳定性良好等优点的薄膜。
搜索关键词: 一种 bczt 基高储能 密度 无铅弛豫铁电 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
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