[发明专利]一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010981820.9 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112062564B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 彭彪林;陆秋萍 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C04B35/497 | 分类号： | C04B35/497;C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 卢波 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，是将PMN‑PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，干燥、热解，制得单层PMN‑PSN薄膜；重复以上，制得多层PMN‑PSN薄膜，将所得产品进行退火，即得所需薄膜材料。本发明的有益效果是：获得具有高的纯度、好的致密性、小的平均晶粒尺寸、超高的电场击穿强度等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，可以通过不同的晶化方式、不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmn psn 超高 击穿 电场 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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