[发明专利]一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置在审
| 申请号： | 202010984908.6 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111999991A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 龚健文;胡松;于军胜;赵立新;杨勇;杜婧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所;电子科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，该装置用于光刻机中实现基片与掩模板之间实现真空曝光。该装置以掩模板为水平基准，利用第一升降驱动机构带动三点弹性支撑机构、承片台、基片上升，基片与基准掩模板接触调平后，气动及控制机构锁紧三点弹性支撑机构，同时第一升降驱动机构停止上升。然后第二升降驱动机构带动真空腔室上升并与掩模架下表面接触形成密封腔体，接着对腔体进行抽真空，从而实现样片与掩模板在真空的环境下进行曝光，提高曝光的分辨率与曝光线条的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接近 接触 光刻 真空 曝光 工件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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