[发明专利]导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法在审
| 申请号： | 202010985686.X | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112210823A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 贾志泰;付博;陶绪堂;穆文祥;尹延如 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B15/24;C30B29/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法，通过在铱金坩埚中放入高度为35mm、直径为25mm的柱状模具将生长界面控制在模具表面，避免了坩埚杂质及熔体对流的影响；并通过导模法柱状模具的边缘控制作用，生长获得了异于传统片状氧化镓单晶的1英寸柱状氧化镓单晶，结合坩埚直径调整及提拉速度优化，攻克了不完全放肩及放肩多晶等技术难点，获得了最佳坩埚与模具尺寸比及生长拉速范围，突破性的得到了1英寸高质量柱状单晶。可实现不同晶面的衬底加工需求，与传统硅基半导体产业完全融合，为后期器件的研发及产业化提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | 导模法 生长 英寸 柱状 氧化 镓单晶 方法 | ||
【主权项】：
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