[发明专利]焦平面芯片介质膜剥离装置及焦平面芯片介质膜剥离方法有效
申请号: | 202010986869.3 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112071957B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/101 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张欣然 |
地址: | 100095 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种焦平面芯片介质膜剥离装置,剥离腔的内腔中设置用于固定芯片的承托板,承托板上设置落料孔;剥离腔内用于盛放剥离溶液;剥离腔的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管,剥离进气管用于竖向正对芯片的上表面吹气,剥离进气管的气流带动剥离溶液流动,剥离溶液流动对芯片的上表面产生冲击,气流和溶液流动的双重作用对芯片表面起到冲刷的效果,将金属膜层快速去除,气体从剥离腔上开设的排气孔中排出,整个过程不需要借助人力,一次性可去除多个芯片表面的金属膜层,提升工艺效率,溶液流动和气流冲刷还可避免芯片表面划伤。本发明的焦平面芯片介质膜剥离方法利用上述装置去除芯片表面的金属膜层,能够实现相同的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 平面 芯片 介质 剥离 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的