[发明专利]焦平面芯片介质膜剥离装置及焦平面芯片介质膜剥离方法有效

专利信息
申请号: 202010986869.3 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112071957B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 北京智创芯源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/101
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张欣然
地址: 100095 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种焦平面芯片介质膜剥离装置,剥离腔的内腔中设置用于固定芯片的承托板,承托板上设置落料孔;剥离腔内用于盛放剥离溶液;剥离腔的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管,剥离进气管用于竖向正对芯片的上表面吹气,剥离进气管的气流带动剥离溶液流动,剥离溶液流动对芯片的上表面产生冲击,气流和溶液流动的双重作用对芯片表面起到冲刷的效果,将金属膜层快速去除,气体从剥离腔上开设的排气孔中排出,整个过程不需要借助人力,一次性可去除多个芯片表面的金属膜层,提升工艺效率,溶液流动和气流冲刷还可避免芯片表面划伤。本发明的焦平面芯片介质膜剥离方法利用上述装置去除芯片表面的金属膜层,能够实现相同的技术效果。
搜索关键词: 平面 芯片 介质 剥离 装置 方法
【主权项】:
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