[发明专利]一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法有效
| 申请号： | 202010987011.9 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112176408B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张绍锋;张璇;孙志文;姜秀丽;刘巨澜 | 申请（专利权）人： | 烁光特晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/18 | 分类号： | C30B29/18;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 100018 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，包括：包括如下步骤：选取人造石英块状籽晶；在籽晶+x晶向开槽，将籽晶制成U型籽晶块；将优质石英原料破碎成块状，经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干，放入高压釜下部溶解区；将籽晶块腐蚀后，用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面，U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上，将晶体生长架放入高压釜内上部生长区；待U型槽内部填满，形成人造石英晶体完整外形后停止生长，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽内新填充部分石英晶体，得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。本发明能够解决低腐蚀隧道密度人造石英晶体生长的籽晶需求，满足晶振元件微型化、高频化QMEMS制造工艺应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 隧道 密度 人造 石英 晶体 籽晶 培育 方法 | ||
【主权项】：
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