[发明专利]晶圆测量方法在审
| 申请号： | 202010988485.5 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112201587A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 全芯智造技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;张振军 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆测量方法，包括：获取晶圆在工艺反应腔室中的方向，所述工艺反应腔室被所述晶圆覆盖的平面区域被划分为多个反应区域；在测量腔室中测量所述晶圆的一个或多个量测点；每当得到量测点的测量数据时，根据所述晶圆在工艺反应腔室中的方向与所述晶圆在测量腔室中的方向，确定当前量测点映射的反应区域。本发明可以提高对当前量测点的测量数据是否存在异常的监测的准确性和有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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