[发明专利]光子结构在审
| 申请号： | 202010988554.2 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112540426A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;徐敏翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供光子结构，光子结构包含半导体基底、位于半导体基底之上的埋藏氧化物层、位于埋藏氧化物层之上的光耦合区、以及埋入半导体基底中的氧化物结构。光耦合区朝着光耦合区的端点渐缩，此端点位于半导体基底的边缘。在平面图中，光耦合区重叠氧化物结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 结构 | ||
【主权项】：
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