[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 202010989081.8 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112071843A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 赵祥辉 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11517 | 分类号: | H01L27/11517;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杜娟;骆希聪 |
地址: | 430079 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,该制造方法包括:提供衬底;在衬底上方形成堆叠层,堆叠层包括核心存储区和台阶区,台阶区包括连接区和至少一个分区台阶区,连接区用于连接每个分区台阶区和核心存储区;形成初始掩模图案,初始掩模图案覆盖连接区和每个分区台阶区,并且初始掩模图案在每个分区台阶区中形成开口;在每个分区台阶区中形成以开口为中心向四周逐渐升高的初始台阶结构;以及将每个分区台阶区中的初始台阶结构划分为N个子台阶区,且处理N个子台阶区以形成N个子台阶结构,其中,N个子台阶结构在堆叠层的深度不同。根据本发明的制造方法可以在有限的晶圆面积上同时形成多层台阶结构,制程的复杂度低,节省成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的