[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010989081.8 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112071843A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 赵祥辉 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11517 分类号: H01L27/11517;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 杜娟;骆希聪
地址: 430079 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种半导体结构及其制造方法,该制造方法包括:提供衬底;在衬底上方形成堆叠层,堆叠层包括核心存储区和台阶区,台阶区包括连接区和至少一个分区台阶区,连接区用于连接每个分区台阶区和核心存储区;形成初始掩模图案,初始掩模图案覆盖连接区和每个分区台阶区,并且初始掩模图案在每个分区台阶区中形成开口;在每个分区台阶区中形成以开口为中心向四周逐渐升高的初始台阶结构;以及将每个分区台阶区中的初始台阶结构划分为N个子台阶区,且处理N个子台阶区以形成N个子台阶结构,其中,N个子台阶结构在堆叠层的深度不同。根据本发明的制造方法可以在有限的晶圆面积上同时形成多层台阶结构,制程的复杂度低,节省成本。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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