[发明专利]半导体设备及其工艺腔室在审
| 申请号： | 202010989779.X | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112111785A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李世凯 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/08;C30B29/36;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：包括：工艺管、电磁加热组件及保温结构；电磁加热组件包括电磁线圈及感应加热器，电磁线圈环绕设置于工艺管的外周，并且电磁线圈的内壁与工艺管的外壁之间具有第一预设间距，电磁线圈的匝间距沿电磁线圈中间向两端依次递减；感应加热器设置于工艺管内，并且与电磁线圈对应设置，感应加热器内形成有容置空间，感应加热器用于感应电磁线圈的磁场而产生热量；保温结构包覆感应加热器，并且保温结构对应于容置空间的位置处开设有传输口。本申请实施例提高了工艺腔室的保温效果及加热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 及其 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010989779.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
