[发明专利]一种增大注入层间距的方法在审
| 申请号： | 202010992674.X | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112199917A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王英磊;曾鼎程;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398;H01L21/027;G06F113/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增大注入层间距的方法原始版图中包含至少两个注入层图形和被注入层图形包裹的多个有源区图形；将相邻两个注入层图形彼此临近的两个边作为目标边，将目标边进行正常偏移，当正常偏移操作使目标边与其最近的有源区图形的间距达到58.5nm及目标边之间的间距小于224nm时，以目标边为长边在注入层内做矩形图形，将有源区图形的尺寸沿其各个边长方向增大58.5nm形成伪有源区图形；将矩形图形与伪有源区图形作减法运算得到boolean偏移操作。本发明对版图中的注入层图形重新定义，对注入层作正常偏移和boolean偏移，在遵循版图设计规则的前提下，使偏移后形成的新的注入层图形能够增加注入层之间的间距，从而抵消光刻中前层反射对当层的影响，防止光刻胶的断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 注入 间距 方法 | ||
【主权项】：
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