[发明专利]半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法在审
| 申请号： | 202010992719.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112201624A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 叶炅翰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，涉及半导体集成电路技术，在形成伪栅极结构的第一侧墙后，增加一道离子注入工艺，使得被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域与不被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域具有不同的刻蚀速率，且通过控制离子注入工艺的参数，如浓度、时间等参数来控制被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域与不被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域的刻蚀速率的差异量，进而可控制后续的用于形成嵌入式外延层的凹槽的刻蚀工艺的横向和竖向的刻蚀量，而精确控制凹槽的深度以及向沟道区方向延伸的距离，而精确控制沟道载流子的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 嵌入式 外延 凹槽 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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