[发明专利]一种提升栅氧膜厚均匀性的方法在审
| 申请号： | 202010992800.1 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112201578A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周春;沈耀庭;成鑫华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提升栅氧膜厚均匀性的方法，在N个衬底样品上进行离子注入，形成阱区；分别在N‑1个衬底样品阱区表面掺杂相同能量、不同剂量的氮离子形成氮掺杂层；对N‑1个衬底样品退火以激活氮掺杂层中的氮离子；分别在没有氮掺杂层的衬底样品阱区上及N‑1个衬底样品的氮掺杂层上生长栅氧；量测栅氧的膜厚和均匀度；选择均匀度最佳氮离子注入剂量用于新产品的栅氧生长。本发明采用氮离子掺杂改变衬底表面吸热能力从而降低其对氧化的敏感度，进而在相同的温度和时间下生长的氧化膜厚度差异变小，均一性变好的特征，并且进一步地，在氮掺杂能量一定的条件下，在上述膜厚允许的范围内优化出栅氧均匀度最佳的氮掺杂剂量，来控制后续产品的栅氧生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 栅氧膜厚 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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