[发明专利]半导体器件、半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010993937.9 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114256133A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 孙正庆;金星 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件、半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供衬底；形成覆盖衬底的第一绝缘层，对第一绝缘层进行图案化处理，形成交替分布的多个通孔和多个隔离结构；在各通孔内分别形成导电接触塞，导电接触塞覆盖于通孔底部，且包括邻接设置的第一区域和第二区域，位于第一区域的导电接触塞覆盖隔离结构的外壁且沿外壁延伸至隔离结构背离衬底的表面；形成覆盖于导电接触塞的侧壁及表面的钝化层。本公开的制造方法可保证导电接触塞与存储电容保持良好接触，降低相邻两个导电接触塞之间短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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