[发明专利]一种吸收环境中太赫兹波的材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010994560.9 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112095075B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 吕德斌;祝凯乾;刘连茹;张玉良;陆斌;蔡东;孙宏念;张士海 | 申请（专利权）人： | 天元航材（营口）科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35;C23C16/26;C23C16/511;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人： | 白芳仿 |
| 地址： | 115000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种吸收环境中太赫兹波的材料的制备方法，主要先制备高纯六方氮化硼粉料，再热压合成六方氮化硼靶材，采用射频磁控溅射法沉积表面平整度高、结晶性良好、以层状模式生长的连续大面积的高纯六方氮化硼薄膜，然后再采用微波等离子增强化学气相沉积系统装置，在高纯六方氮化硼薄膜沉积预定厚度的致密石墨烯薄膜，最终获得一种石墨烯和六方氮化硼薄膜层间紧密结合的高纯六方氮化硼薄膜/石墨烯复合材料。相比其他制备方法，本发明制备的高纯六方氮化硼薄膜/石墨烯复合材料具有优异的膜层微观形貌和更高的吸收太赫兹波效率。此外，采用射频磁控溅射法沉积高纯六方氮化硼薄膜，其操作简单、可大量制备、沉积膜层的可控性强，降低了材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸收 环境 赫兹 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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