[发明专利]具有可控迁移路径的阻变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202010995203.4 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112289928A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 唐建石;牟星;吴华强;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 付文虹 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有可控迁移路径的阻变存储器及其制作方法，其中，阻变存储器包括：上电极、阻变层、下电极和衬底；其中，所述上电极、所述阻变层、所述下电极和所述衬底依次叠放；所述阻变层具有晶体结构，所述衬底具有特定晶向，以提高RRAM器件的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可控 迁移 路径 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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