[发明专利]薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器在审
| 申请号： | 202010995762.5 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114257193A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器，包括：形成具有第一牺牲层的第一衬底；依次形成第一电极、形成压电层和形成第二电极，第一电极覆盖第一牺牲层；在第一电极、第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽；在形成有环形沟槽的相应电极上形成具有拱形桥结构的电极引出结构，拱形桥结构与环形沟槽相对；去除第一牺牲层，形成第一空腔。本发明通过电极引出结构的环形空隙所在的区域界定有效谐振区的边界，并通过环形沟槽使有效谐振区边界处相应电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 制造 方法 滤波器 | ||
【主权项】：
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